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FDMC86160ET100

N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,43A,14mΩ

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance. This device is well suited for applications where ultra low RDS(on) is required in small spaces suc • 扩展额定 TJ 至 175°C\n• 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 14 mΩ(VGS = 10 V, ID = 9 A时)\n• 最大值 rDS(on) = 23 mΩ(VGS = 6 V, ID = 7 A时)\n• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)\n• 终端无引线且符合 RoHS 标准\";

ONSEMI

安森美半导体

FDMC86244

DFN-8

FSC

FDMC89521L

DFN8

ON

FDMD84100

Power-33x5-8

ON

FDMF6823C

QFN40

ON

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    100

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    43

  • PD Max (W):

    65

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    14

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    9.8

  • Ciss Typ (pF):

    968

  • Package Type:

    PQFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDMC86160ET100供应商 更新时间2025-12-11 16:12:00