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FDMC86160ET100中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，43A，14mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86160ET100规格书详情
描述 Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance. This device is well suited for applications where ultra low RDS(on) is required in small spaces such as High performance VRM, POL and orring functions.
特性 Features
• 扩展额定 TJ 至 175°C
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 14 mΩ（VGS = 10 V, ID = 9 A时）
• 最大值 rDS(on) = 23 mΩ（VGS = 6 V, ID = 7 A时）
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
• 终端无引线且符合 RoHS 标准\"
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86160ET100
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：43
- PD Max (W)
：65
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：14
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：9.8
- Ciss Typ (pF)
：968
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2511 |
PQFN-8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
QFN8 |
3860 |
原装正品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
60000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
23+ |
QFN |
12 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD |
23+ |
PQFN-8 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
PQFN-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
PQFN-8 |
14740 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
