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FDMC8588DC中文资料25V N沟道PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMC8588DC

参数属性

FDMC8588DC 包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N CH 25V 40A POWER33

功能描述

25V N沟道PowerTrench® MOSFET
MOSFET N CH 25V 40A POWER33

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:06:00

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FDMC8588DC规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关 PWM 控制器,专为提高 DC-DC 转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经优化实现低栅极电荷、低 rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能。

特性 Features

• Dual CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET
• 最大值 RDS(on) = 5.7 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 17 A)
• 一流的开关性能
• 更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷升压效率
• 屏蔽栅极技术降低了开关节点振铃,提高了抗EMI和交叉导通的能力
• 符合RoHS标准

应用 Application

• 发电和配电

简介

FDMC8588DC属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDMC8588DC晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FDMC8588DC

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :25

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.8

  • ID Max (A)

    :40

  • PD Max (W)

    :41

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :5.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :19.4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12

  • Ciss Typ (pF)

    :1695

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
2012
QFN
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