FDMC8588中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，40A，5.7mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC8588规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。
特性 Features
• 在VGS = 4.5 V且ID = 17 A时，最大值RDS(on) = 6.0 mΩ
• 一流的开关性能
• 更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷升压效率
• 屏蔽栅极技术降低了开关节点振铃，提高了抗EMI和交叉导通的能力
• 符合RoHS标准
应用 Application
• 台式计算机
• 消费型设备
• 笔记本电脑
• 配电
• EMS
简介
FDMC8588属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDMC8588晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：FDMC8588
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：25
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.8
- ID Max (A)
：40
- PD Max (W)
：26
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：5.7
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：3
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12
- Ciss Typ (pF)
：1228
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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