N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，40A，5.7mΩ

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 • 在VGS = 4.5 V且ID = 17 A时，最大值RDS(on) = 6.0 mΩ\n• 一流的开关性能\n• 更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷升压效率\n• 屏蔽栅极技术降低了开关节点振铃，提高了抗EMI和交叉导通的能力\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 m廓

文件：401.26 Kbytes 页数：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

25V N沟道PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关 PWM 控制器，专为提高 DC-DC 转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经优化实现低栅极电荷、低 rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能。 • Dual CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET\n• 最大值 RDS(on) = 5.7 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 17 A）\n• 一流的开关性能\n• 更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷升压效率\n• 屏蔽栅极技术降低了开关节点振铃，提高了抗EMI和交叉导通的能力\n• 符合RoHS标准;

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安森美半导体

包装：剪切带（CT） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET N CH 25V 40A POWER33

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