FDMC8462中文资料N 沟道 Power Trench® MOSFET 40V，20A，5.8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC8462规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•VGS = 10V，ID = 13.5A时，最大rDS(on) = 5.8 mΩ
•VGS = 4.5V，ID = 11.8A时，最大rDS(on) = 8.0 mΩ
•薄型 - 最大1 mm，采用Power 33封装
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC8462
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：40
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：20
- PD Max (W)
：41
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：8
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：5.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：12
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：15
- Ciss Typ (pF)
：2000
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
QFN8 |
20000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
Power-33-8 |
30000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
QFN8 |
18560 |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
8/DFN |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
PQFN-8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
QFN |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
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Power33 |
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三年内 |
1983 |
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ONSEMI/安森美 |
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QFN |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
QFN8 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 |
