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FDMC8462	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 Power Trench® MOSFET 40V，20A，5.8mΩ 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10V，ID = 13.5A时，最大rDS(on) = 5.8 mΩ \n•VGS = 4.5V，ID = 11.8A时，最大rDS(on) = 8.0 mΩ\n•薄型 - 最大1 mm，采用Power 33封装\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC8462	文件：289.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET 40V, 20A, 5.8m廓文件：289.54 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSZ8462FHLI	文件：3.68153 Mbytes Page：279 Pages	IEEE 1588 Precision Time Protocol-Enabled Two-Port 10/100Mb/s Ethernet Switch with 8 or 16 Bit Host Interface 文件：3.68153 Mbytes 页数：279 Pages	Micrel 麦瑞半导体	Micrel
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KSZ8462HLI	文件：3.68153 Mbytes Page：279 Pages	IEEE 1588 Precision Time Protocol-Enabled Two-Port 10/100Mb/s Ethernet Switch with 8 or 16 Bit Host Interface 文件：3.68153 Mbytes 页数：279 Pages	Micrel 麦瑞半导体	Micrel

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更多FDMC8462供应商更新时间2025-11-30 14:13:00