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FDMC86102LZ中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，22A，24mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86102LZ规格书详情
描述 Description
各 N 沟道逻辑电平 MOSFET 均采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺制造而成，集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
特性 Features
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on)=24 mΩ，当 VGS=10 V、ID=6.5 A
• 最大 rDS(on)=35 mΩ，当 VGS=4.5 V、ID=5.5 A
• HBM 静电放电保护等级一般达到 >6 KV（注 4）
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• 消费电子
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86102LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2.2
- ID Max (A)
：22
- PD Max (W)
：41
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：35
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：24
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7.6
- Ciss Typ (pF)
：969
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原ON |
24+ |
NA |
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原ON |
23+ |
NA |
20000 |
询价 | |||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
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