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FDMC8360LET40中文资料N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET 40V，141A，2.1mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC8360LET40规格书详情
描述 Description
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 2.1 mΩ (VGS = 10 V, ID = 27 A)
• 最大值 rDS(on) = 3.1 mΩ (VGS = 4.5 V, ID = 22 A)
• 高性能技术，可实现极低 rDS(on)
• 终端为无铅产品
• 100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC8360LET40
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：40
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：141
- PD Max (W)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：3.1
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2.1
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：24
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：27
- Ciss Typ (pF)
：3785
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
QFN8 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
Power-33-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
QFN8 |
18560 |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
PQFN-8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
QFN |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ON |
24+ |
Power33 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
PQFN-8 |
18687 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
2447 |
Power-33-8 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 |
