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FDMC8360LET40	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET 40V，141A，2.1mΩ 该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 2.1 mΩ (VGS = 10 V, ID = 27 A)\n• 最大值 rDS(on) = 3.1 mΩ (VGS = 4.5 V, ID = 22 A)\n• 高性能技术，可实现极低 rDS(on)\n• 终端为无铅产品\n• 100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC86139P	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON Power-33-8	ON 上传：深圳市芯巴巴科技有限公司	ON
FDMC86244	文件：0 bytes Page：0 Pages	FSC DFN-8	FSC 上传：深圳市鹏越电子公司	FSC
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FDMC89521L	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON DFN8	ON 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	ON

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
141
PD Max (W)：
75
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
3.1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2.1
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
24
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
27
Ciss Typ (pF)：
3785
Package Type：
PQFN-8

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更多FDMC8360LET40供应商更新时间2025-10-12 14:26:00

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