FDMC8554中文资料N 沟道，Power Trench® MOSFET，20V，16.5A，5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC8554规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 是采用飞兆半导体先进的 Power Trench 工艺生产的稳固栅极版本。 已针对开关性能和超低 rDS(on)进行了优化。
特性 Features
•最大值 rDS(on)=5 mΩ（条件为 VGS=10 V、ID=16.5 A）
•最大值 rDS(on)=6.4 mΩ（条件为 VGS=4.5 V、ID=14A
•薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33 封装
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC8554
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：20
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：16.5
- PD Max (W)
：41
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：6.4
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：12
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：24
- Ciss Typ (pF)
：2540
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
Power-33-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
WDFN83.3x3.3 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
4446 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
DFN33 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
QFN |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON |
23+ |
DFN |
3000 |
全新原装正品!一手货源价格优势! |
询价 | ||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
