N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，53 A，8.5 mΩ

N 沟道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。 • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 21 A）\n• 最大值 rDS(on) = 24.8 mΩ（VGS = 6 V, ID = 10 A 时）\n• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%\n• 降低了开关噪声/EMI\n• MSL1 强健封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

文件：393.96 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

18 (41/34) AWG Tinned Copper

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