P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-13A，107mΩ

此 P 沟道 MOSFET 器件采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越的开关性能而定制的。 • 最大 rDS(on) = 107 mΩ，条件是 VGS = -10 V，ID = -3 A\n• 最大 rDS(on) = 137 mΩ，条件是 VGS = -6 V，ID = -2.7 A\n• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况\n• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel PowerTrench MOSFET

文件：179.35 Kbytes 页数：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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N/A

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DFN8

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Power-33x5-8

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