FDMC86240中文资料N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，16A，51mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86240规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 51 mΩ（VGS=10 V、ID=4.6 A 时）
• 最大 rDS(on) = 70 mΩ（VGS=6 V、ID=3.9 A 时）
•薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封装
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86240
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：16
- PD Max (W)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：51
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：6
- Ciss Typ (pF)
：680
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCILD |
22+ |
DFN-8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHI |
14+ |
DFN8 |
24 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FSC |
21+ |
PAK1212-8 |
10575 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
Power-33-8 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FSC |
25+ |
PAK1212 |
248 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
WDFN-8 |
7807 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
QFN |
10575 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
1413 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
WDFN83.3x3.3 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |
