FDMC86340中文资料N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET 80V，48A，6.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86340规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 Power Trench®工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
•rDS(on)最大值 = 6.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 14 A）
•rDS(on)最大值 = 8.5 mΩ（VGS = 8 V、ID = 12 A）
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
•终端为无铅产品
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86340
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：48
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：6.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：31
- Ciss Typ (pF)
：2775
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
21+ |
QFN |
186 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2430+ |
QFN |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFN-8(3 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
QFN |
19570 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHI |
23+ |
QFN |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
原装 |
12002 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
QFN |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
询价 |
