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FDMC86262P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMC86262P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 307 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2 A）
• 最大 rDS(on) = 356 mΩ（VGS = -6 V、ID = -1.8 A）
• 中压 P 沟道硅技术的 rDS(on)极低，非常适用于 Qg 较低的情况
• 已针对快速开关应用以及负载开关应用优化
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合RoHS标准
应用 Application
• Industrial
• Portable and Wireless
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86262P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-150
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-2
- PD Max (W)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：307
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：5.6
- Ciss Typ (pF)
：632
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
LGA145 |
22048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
2085 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
QFN8 |
32360 |
ONSEMI/安森美全新特价FDMC86262P即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
QFN |
7500 |
只做原装所有货源可以追溯原厂 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
4700 |
原装进口假一赔十有实单来谈! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON(安森美) |
23+ |
POWER33 |
13754 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
POWER33 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON |
25+ |
LGA145 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 |
