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FDMC86262P中文资料P 沟道 PowerTrench® MOSFET -150 V，-2 A，307 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86262P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 307 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2 A）
• 最大 rDS(on) = 356 mΩ（VGS = -6 V、ID = -1.8 A）
• 中压 P 沟道硅技术的 rDS(on)极低，非常适用于 Qg 较低的情况
• 已针对快速开关应用以及负载开关应用优化
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合RoHS标准
应用 Application
• Industrial
• Portable and Wireless
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86262P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-150
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-2
- PD Max (W)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：307
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：5.6
- Ciss Typ (pF)
：632
- Package Type
：WDFN-8
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
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