MOSFET – P-Channel, POWERTRENCH

General Description This P−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced POWERTRENCH technology. This very high density process is especially tailored to minimize on−state resistance and optimized for superior switching performance. Features • Max rDS(on) = 307 m at VGS = −10 V, ID =

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ONSEMI

安森美半导体

P 沟道 PowerTrench® MOSFET -150 V，-2 A，307 mΩ

此 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 • 最大 rDS(on) = 307 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2 A）\n• 最大 rDS(on) = 356 mΩ（VGS = -6 V、ID = -1.8 A）\n• 中压 P 沟道硅技术的 rDS(on)极低，非常适用于 Qg 较低的情况\n• 已针对快速开关应用以及负载开关应用优化\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

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N/A

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上传：深圳市特瑞斯科技有限公司

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DFN8

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上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司

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Power-33x5-8

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上传：深圳市金嘉锐电子有限公司