FDMC86260数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMC86260规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•Max rDS(on) = 34 mΩ （在VGS= 10 V, ID = 5.4 A时）
•最大值rDS(on) = 44 mΩ （在 VGS = 6 V, ID = 4.8 A时）
•通态电阻rDS(on)极低的高性能技术
•100%经过UIL测试
•终端为无铅产品
•符合RoHS标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86260
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：25
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：34
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：9.7
- Ciss Typ (pF)
：1000
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
Power33 |
13048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
60 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
764 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
Power-33-8 |
12228 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
Power-33-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
QFN |
18 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1836+ |
QFN |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
PQFN-8 |
16800 |
全新进口原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 |
