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FDMC8622数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC8622

功能描述

N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,16A,56mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 11:25:00

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FDMC8622规格书详情

描述 Description

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成,该工艺集成了栅极屏蔽技术。该过程已经过优化,可提供优异的 rDS(on)、开关性能和耐用性。

特性 Features

•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•VGS = 10 V,ID = 4 A时,rDS(on) = 56 mΩ(最大值)
•VGS = 6 V,ID = 3 A时,rDS(on)= 100 mΩ(最大值)
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
•100% 经过 UIL 测试
•终端无引线且符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC8622

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :16

  • PD Max (W)

    :31

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :56

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :3

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3

  • Ciss Typ (pF)

    :302

  • Package Type

    :WDFN-8

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