N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 16 A, 56 m

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

PoE-PD Interface Controller, IEEE 802.3bt

文件：396.96 Kbytes 页数：17 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，16A，56mΩ

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该过程已经过优化，可提供优异的 rDS(on)、开关性能和耐用性。 •栅极屏蔽 MOSFET 技术\n•VGS = 10 V，ID = 4 A时，rDS(on) = 56 mΩ（最大值）\n•VGS = 6 V，ID = 3 A时，rDS(on)= 100 mΩ（最大值）\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•100% 经过 UIL 测试\n•终端无引线且符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 16.5 A, 56 m廓

文件：278.87 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Heyco® Nylon Conduit Fittings - 90° Sweep Fittings

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Heyco

Heyco® Nylon Conduit Fittings - 90° Sweep Fittings

文件：157.06 Kbytes 页数：1 Pages

Heyco