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FDMC86340ET80中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，68A，6.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86340ET80规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 14 A）
• 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ（VGS = 8 V, ID = 12 A时）
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
•终端为无铅产品
• 符合 RoHS 标准\"
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86340ET80
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：68
- PD Max (W)
：65
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：6.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：31
- Ciss Typ (pF)
：2775
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
14/15+ |
BGAQFP |
210 |
普通 |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
20+ |
DFN33 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
Power-33-8 |
26880 |
公司只有原装 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
65300 |
一级代理/放心购买! |
询价 | |||
FA1RCHILD/ON |
24+ |
PQFN3X3 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN |
3000 |
全新原装正品!一手货源价格优势! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
PQFN-8 |
20 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
