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FDMC86340ET80	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，68A，6.5mΩ N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 14 A）\n• 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ（VGS = 8 V, ID = 12 A时）\n• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)\n•终端为无铅产品\n• 符合 RoHS 标准\";	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC89521L	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN8	ON 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	ON
FDMD84100	文件：0 bytes Page：0 Pages	Power-33x5-8	ON 上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ON
FDMF6823C	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN40	ON 上传：深圳市海天鸿电子科技有限公司	ON
FDMS2572	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
68
PD Max (W)：
65
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
6.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
31
Ciss Typ (pF)：
2775
Package Type：
PQFN-8

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