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FDMS2572

N-Channel UltraFET Trench MOSFET

文件:156.36 Kbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDMS2572

N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 150V, 27A, 47m?

文件:513.24 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDMS2572

N 沟道,UltraFET Trench® MOSFET,150V,27A,47mΩ

UltraFET器件结合了各种特性,可在功率转换应用中提供基准效率。 由于针对rDS(on)、低ESR、低总电荷和米勒栅极电荷进行了优化,这些器件是高频DC-DC转换器的理想选择。 •最大rDS(on) = 47mΩ(VGS = 10V, ID = 4.5A)\n•VGS = 10 V时,Typ Qg = 31nC\n•低密勒电荷\n•优化高频率时的效率\n•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS2572-TP

N-Channel Enhancement MOSFET

Application o Load switch « High Frequency Switching and Synchronous Rectification o Active Clamp in Intermediate « DC/DC Power Supplies

文件:3.31823 Mbytes 页数:5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

FDMS2572_07

N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 150V, 27A, 47m?

文件:513.24 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    150

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    27

  • PD Max (W):

    78

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    47

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    31

  • Ciss Typ (pF):

    1960

  • Package Type:

    DFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
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更多FDMS2572供应商 更新时间2026-1-17 14:14:00