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FDMC86520DC数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC86520DC

功能描述

N 沟道,双 CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET,60V,40A,6.3mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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FDMC86520DC规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench®工艺生产。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合,可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性 Features

•Dual Cool™ 顶侧冷却PQFN封装
•最大值 rDS(on) = 6.3 mΩ(VGS = 10 V, ID = 17 A 时)
•最大值 rDS(on) = 8.7 mΩ(VGS = 8 V, ID = 14.5 A 时)
•通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 发电和配电

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC86520DC

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :40

  • PD Max (W)

    :73

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :6.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :23

  • Ciss Typ (pF)

    :2097

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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