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FDMC8651数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC8651

功能描述

N 沟道 Power Trench® MOSFET 30V,20A,6.1mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 9:38:00

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FDMC8651规格书详情

描述 Description

该器件专为提高DC/DC转换器的效率而设计。 使用MOSFET结构的新技术,栅极电荷和电容的各种元件经优化以降低开关损耗。 低栅极电阻和极低的米勒电荷兼具自适应和固定死区时间栅极驱动电路的卓越性能。 保持了极低的rDS(on)以提供子逻辑电平器件。

特性 Features

•VGS = 4.5 V,ID = 15 A时,最大rDS(on) = 6.1 mΩ
•VGS = 2.5 V,ID = 12 A时,最大rDS(on) = 9.3mΩ
•薄型 - 最大1 mm,采用Power 33封装
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC8651

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :20

  • PD Max (W)

    :41

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :9.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :6.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :19.4

  • Ciss Typ (pF)

    :2530

  • Package Type

    :PQFN-8

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