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FDMC86570L中文资料N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 60 V，84A，4.3mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86570L规格书详情
描述 Description
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了Shielded Gate技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 4.3 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18 A）
• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 15 A）
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
• 终端为无铅产品
• 符合 RoHS 标准\"
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86570L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：84
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：6.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.3
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：4790
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
Pwoer 33 |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
1810+ |
DFN |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
2023+ |
DFN |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
ON/安森美 |
20+ |
PQFN-8 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOP8 |
10048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN8 |
3422 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
Pwoer 33 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN8 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 |
