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FDMC86570L数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC86570L

功能描述

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 60 V,84A,4.3mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 11:32:00

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FDMC86570L规格书详情

描述 Description

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench®工艺制造而成,该工艺集成了Shielded Gate技术。 该工艺经优化,适用通态电阻优化,却仍保持卓越的开关性能。

特性 Features

•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 4.3 mΩ(VGS = 10 V、ID = 18 A)
• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 15 A)
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
• 终端为无铅产品
• 符合 RoHS 标准\"

应用 Application

• DC-DC商用电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC86570L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :84

  • PD Max (W)

    :54

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :6.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :29

  • Ciss Typ (pF)

    :4790

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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