首页>FDMC86570L>规格书详情
FDMC86570L中文资料N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 60 V，84A，4.3mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86570L规格书详情
描述 Description
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了Shielded Gate技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 4.3 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18 A）
• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 15 A）
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
• 终端为无铅产品
• 符合 RoHS 标准\"
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86570L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：84
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：6.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.3
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：4790
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
FDMC86570L |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
Pwoer 33 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
QFN8 |
1564 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
Pwoer 33 |
12000 |
只有原装,绝对原装,假一罚十 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ON |
1810+ |
DFN |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
2023+ |
DFN |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
2025+ |
Power(3x3) |
55740 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
ON/安森美 |
20+ |
PQFN-8 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 |
