N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 60 V，84A，4.3mΩ

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了Shielded Gate技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。 •屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 4.3 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18 A）\n• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 15 A）\n• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)\n• 终端为无铅产品\n• 符合 RoHS 标准\";

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 56 A, 4.3 m

文件：352.35 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 •屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 4.3 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18 A）\n• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 15 A）\n• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)\n• 终端为无铅产品\n• 符合 RoHS 标准\";

ONSEMI

安森美半导体

ON
DFN8

ON

上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司

ON
Power-33x5-8

ON

上传：深圳市金嘉锐电子有限公司