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FDMC86570LET60中文资料N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDMC86570LET60规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 4.3 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18 A）
• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 15 A）
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
• 终端为无铅产品
• 符合 RoHS 标准\"
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86570LET60
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：87
- PD Max (W)
：65
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：6.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.3
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：4790
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
PQFN3X3 |
8928 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
PQFN-8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
QFN |
1125 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
POWER33 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
QFN |
4000 |
原装原厂代理 可免费送样品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
PQFN-8 |
350000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
QFN |
1130 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
