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FDMC86260ET150	文件：300 bytes Page：1 Pages	150 V N 沟道 Power Trench® MOSFET 这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 PowerTrench® 工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 •扩展额定 TJ 至 175°C\n•最大值 rDS(on) = 34 mΩ（VGS = 10 V, ID = 5.4 A时）\n•最大值 rDS(on) = 44 mΩ（在 VGS = 6 V, ID = 4.8 A时）\n•通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术\n•100% 经过 UIL 测试\n•终端为无铅产品\n•符合 RoHS 标准\";	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC86262P	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON N/A	ON 上传：深圳市特瑞斯科技有限公司	ON
FDMC89521L	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON DFN8	ON 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	ON
FDMD84100	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON Power-33x5-8	ON 上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ON
FDMF6823C	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON QFN40	ON 上传：深圳市海天鸿电子科技有限公司	ON

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
150
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
25
PD Max (W)：
65
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
34
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
9.7
Ciss Typ (pF)：
1000
Package Type：
PQFN-8

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更多FDMC86260ET150供应商更新时间2025-10-13 15:15:00

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