N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，7A，26mΩ

该单 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench 工艺设计而成，用于优化 VGS = 1.5 V 时专用 MicroFET 引线框上的 rDS(on)。 •VGS = 4.5 V，ID = 7 A时，最大rDS(on) = 26mΩ\n•最大值 rDS(on) = 31 mΩ（VGS = 2.5 V, ID = 6 A）\n•最大值 rDS(on) = 39 mΩ（VGS = 1.8 V, ID= 5 A）\n•最大值 rDS(on) = 53 mΩ（VGS = 1.5 V, ID = 4A）\n•薄型：0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装\n•不含有卤化合物和氧化锑\n•HBM 静电放电保护等级为>1800V（注 3）\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 20 V, 7 A, 26 m廓

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Fairchild

仙童半导体

4.0A UITRASOFT RECOVERY BRIDGE

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YFWDIODE

佑风微

FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS

FEATURES : * High case dielectric strength of 2000 VDC * High surge current capability * High reliability * Low reverse current * Low forward voltage drop * Fast switching for high efficiency * Ideal for printed circuit board * Pb / RoHS Free

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EIC

FAST RECOVERY

文件：52.55 Kbytes 页数：2 Pages

EIC