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FDME510PZT	文件：300 bytes Page：1 Pages	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-6A，37mΩ 该器件是专为蜂窝手机和其他超便携式应用中的电池充电或负载开关应用而设计的。它具有带低通态电阻的MOSFET。MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。 •VGS = -4.5 V，ID = -5 A时，rDS(on) = 37 mΩ（最大值）\n•VGS = -2.5 V，ID = -4 A时，最大rDS(on) = 50mΩ\n•VGS = -1.8 V，ID = -3 A时，最大rDS(on) = 65mΩ\n•VGS = -1.5 V，ID = -2 A时，最大rDS(on) = 100mΩ\n•薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装\n•不含有卤化合物和氧化锑\n•HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDME510PZT	文件：254.32 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -20 V, -6 A, 37 m廓文件：254.32 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FL-510	文件：108.82 Kbytes Page：2 Pages	1550 nm LASER DIODES 文件：108.82 Kbytes 页数：2 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FL-510S	文件：108.82 Kbytes Page：2 Pages	1550 nm LASER DIODES 文件：108.82 Kbytes 页数：2 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FP-510	文件：73.86 Kbytes Page：1 Pages	Wideband RF/Pulse Transformer 1-1000 MHz 文件：73.86 Kbytes 页数：1 Pages	SIRENZA	SIRENZA

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
-1
ID Max (A)：
-6
PD Max (W)：
2.1
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
50
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
37
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
14
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
16
Ciss Typ (pF)：
1120
Package Type：
UDFN-6

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