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FDME510PZT数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDME510PZT规格书详情
描述 Description
该器件是专为蜂窝手机和其他超便携式应用中的电池充电或负载开关应用而设计的。 它具有带低通态电阻的MOSFET。MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧,却能提供出色的热性能,非常适合开关和线性模式应用。
特性 Features
•VGS = -4.5 V,ID = -5 A时,rDS(on) = 37 mΩ(最大值)
•VGS = -2.5 V,ID = -4 A时,最大rDS(on) = 50mΩ
•VGS = -1.8 V,ID = -3 A时,最大rDS(on) = 65mΩ
•VGS = -1.5 V,ID = -2 A时,最大rDS(on) = 100mΩ
•薄型: 0.55 mm最大值,新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
•不含有卤化合物和氧化锑
•HBM静电放电保护等级为>1600V(注3)
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDME510PZT
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-20
- VGS Max (V)
:8
- VGS(th) Max (V)
:-1
- ID Max (A)
:-6
- PD Max (W)
:2.1
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:50
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:37
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:14
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:16
- Ciss Typ (pF)
:1120
- Package Type
:UDFN-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
DFN |
1280 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
UDFN-6 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价FDME510PZT即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
6-MICROFET |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
UDFN-6 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAI |
23+ |
QFN |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
UDFN-6 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN |
66600 |
专业芯片配单原装正品假一罚十 |
询价 |