FDMD8260L中文资料60 V 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDMD8260L规格书详情
描述 Description
该器件包括两个 60 V N 沟道 MOSFET，采用双 Power (3.3 mm x 5 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 5.8 mΩ（VGS = 10 V、ID = 15 A）
• 最大 rDS(on) = 8.7 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 12 A）
•是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
•100% 经过 UIL 测试
•开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
•终端无引线且符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMD8260L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：15
- PD Max (W)
：37
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=8.7
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=5.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：25
- Ciss Typ (pF)
：3745
- Package Type
：PQFN-12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
QFN |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
12Power3.3x5 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 | ||||
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFN-12(3 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN |
6000 |
专业配单保证原装正品假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
POWER3.3*5 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3357 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN12 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
