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FDMD82100L数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMD82100L规格书详情
描述 Description
该器件包括两个 100 V N 沟道 MOSFET，采用双 Power (3.3 mm x 5 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。
特性 Features
• 最大 rDS(on)=19.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 7 A时）
• 最大 rDS(on)=30 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 5.7 A时）
• 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
• 100% 经过 UIL 测试
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMD82100L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：24
- PD Max (W)
：38
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=30
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=19.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8
- Ciss Typ (pF)
：1130
- Package Type
：PQFN-12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
23+ |
PQFN-12 |
17739 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
N/A |
9228 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
1511+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
POWER3.3*5 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
POWER3.3*5 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFN-12(3 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON |
24+ |
PQFN-12 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
PQFN-12 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
12Power3.3x5 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
