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FDMD8260LET60数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMD8260LET60

功能描述

双 N 沟道 Power Trench® MOSFET 60V,5.8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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FDMD8260LET60规格书详情

描述 Description

该器件包括两个 60 V N 沟道 MOSFET,采用双 Power (3.3 mm x 5 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥,低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。

特性 Features

•TJ 额定值扩展至 175°C
• 最大 rDS(on) = 4.9 mΩ(VGS = 10 V、ID = 15 A)
• 最大 rDS(on) = 7.7 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 12 A)
•是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
•100% 经过 UIL 测试
•开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
•终端无引线且符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMD8260LET60

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :15

  • PD Max (W)

    :44

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=8.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=5.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :25

  • Ciss Typ (pF)

    :3745

  • Package Type

    :PQFN-12

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
PQFN12(3.3x5)
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
3357
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1983
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原装
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原装现货,实单价格可谈
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8-PQFN
25000
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20000
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ONSEMI/安森美
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PQFN-12
360000
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12Power3.3x5
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PQFN-12
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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