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FDMD8260LET60数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMD8260LET60规格书详情
描述 Description
该器件包括两个 60 V N 沟道 MOSFET,采用双 Power (3.3 mm x 5 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥,低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。
特性 Features
•TJ 额定值扩展至 175°C
• 最大 rDS(on) = 4.9 mΩ(VGS = 10 V、ID = 15 A)
• 最大 rDS(on) = 7.7 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 12 A)
•是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
•100% 经过 UIL 测试
•开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
•终端无引线且符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDMD8260LET60
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Dual
- V(BR)DSS Min (V)
:60
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:15
- PD Max (W)
:44
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:Q1=Q2=8.7
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:Q1=Q2=5.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:25
- Ciss Typ (pF)
:3745
- Package Type
:PQFN-12
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFN12(3.3x5) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3357 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
Infineon |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
10462 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
8-PQFN |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA |
20000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
PQFN-12 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
12Power3.3x5 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
PQFN-12 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |