双 N 沟道 Power Trench® MOSFET 60V，5.8mΩ

该器件包括两个 60 V N 沟道 MOSFET，采用双 Power (3.3 mm x 5 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。 •TJ 额定值扩展至 175°C\n• 最大 rDS(on) = 4.9 mΩ（VGS = 10 V、ID = 15 A）\n• 最大 rDS(on) = 7.7 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 12 A）\n•是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择\n•100% 经过 UIL 测试\n•开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力\n•终端无引线且符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Power-33x5-8

ON

上传：深圳市金嘉锐电子有限公司

QFN40

ON

上传：深圳市海天鸿电子科技有限公司

QFN

FAIRCHILD/仙童

上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司

QFN-56

Fairchild

仙童半导体

上传：深圳市创博伟业科技有限公司