FDMD8560L数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMD8560L规格书详情
描述 Description
该器件包括两个60 V N-沟道 MOSFET，采用双通道电源 (5 mm x 6mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。
特性 Features
• Q1： N沟道
•最大 rDS(on) = 5.4 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 18 A）Q2： N沟道
• 桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
•100% 经过 UIL 测试
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚配置能力
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMD8560L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：Q1=Q2= 22.0
- PD Max (W)
：48
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=5.4
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=3.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.5
- Ciss Typ (pF)
：Q1=Q2=7420
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
24000 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
Power(5x6) |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
8790 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | |||
Fairchild/ON |
22+ |
8Power 5x6 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
DFN5X6 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON SEMICONDUCTOR |
24+ |
con |
20 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
PQFN-8 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2447 |
31-PowerWFQFN |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 |
