FDMD8540L中文资料双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V，156A，1.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMD8540L规格书详情
描述 Description
此器件包括两个 40 V N 沟道 MOSFET，采用双通道 电源 (5 mm X 6 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。
特性 Features
• Q1： N沟道
• 最大值 rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 26 A）Q2: N沟道
•桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
•100% 经过 UIL 测试
•开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚配置能力
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMD8540L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：40
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：Q1=Q2=156
- PD Max (W)
：62
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=1.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：38
- Ciss Typ (pF)
：Q1=Q2=5670
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/原装实单支持 |
24+ |
POWER56 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSemi |
24+ |
POWER56 |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
POWER56 |
15000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
POWER56 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON SEMICONDUCTOR |
20 |
询价 | |||||
ON/安森美 |
24+ |
POWER56 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
POWER56 |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
PQFN-8 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
