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FDME1023PZT中文资料双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-2.6A，142mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDME1023PZT规格书详情
描述 Description
该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
特性 Features
•VGS = -4.5 V，ID = -2.3 A时，最大rDS(on) = 142 mO
•VGS = -2.5 V，ID = -1.8 A时，最大rDS(on) = 213mO
•VGS = -1.8 V，ID = -1.5 A时，最大rDS(on) = 331mO
•VGS = -1.5 V，ID = -1.2 A时，最大rDS(on) = 530mO
•薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
•不含有卤化合物和氧化锑
•HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDME1023PZT
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1
- ID Max (A)
：-2.6
- PD Max (W)
：1.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=213
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=142
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：5.5
- Ciss Typ (pF)
：305
- Package Type
：UDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
24+ |
SMD |
20000 |
全新正品现货供应特价库存 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
1785 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
MicroFET(1 |
11318 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
6-MICROFET |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
onsemi |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
原装 |
25+ |
DFN2x2 |
20300 |
原装特价FDME1023PZT即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAI |
24+ |
QFN |
32650 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2023+ |
SMD |
45000 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
