FDMD86100中文资料双 N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDMD86100规格书详情
描述 Description
该封装集成两个在共源配置中内部连接的 N 沟道器件，并采用栅极屏蔽技术。 如此极大地减少了封装的寄生效应，优化了到底部共源焊盘的传热路径。 以极小的尺寸 (5 x 6 mm) 实现较高的功率密度。
特性 Features
• Common source configuration to eliminate PCB routing
• Large source pad on bottom of package for enhanced thermals
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 10.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A）
• 最大值 rDS(on) = 17.3 mΩ（VGS = 6 V、ID = 7.8 A）
•满足二次侧同步整流灵活布局的需要
•终端无引线且符合 RoHS 标准
•100% 经过 UIL 测试
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMD86100
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：39
- PD Max (W)
：33
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=10.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：16
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：13
- Ciss Typ (pF)
：1469
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
MicroFET |
50 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
DFN5X6 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
FET |
40923 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
DFN-8(5x6) |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
PQFN-8 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
16+ |
MicroFET |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
