双 N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench® MOSFET

该封装集成两个在共源配置中内部连接的 N 沟道器件，并采用栅极屏蔽技术。 如此极大地减少了封装的寄生效应，优化了到底部共源焊盘的传热路径。 以极小的尺寸 (5 x 6 mm) 实现较高的功率密度。 • Common source configuration to eliminate PCB routing\n• Large source pad on bottom of package for enhanced thermals\n•屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 10.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A）\n• 最大值 rDS(on) = 17.3 mΩ（VGS = 6 V、ID = 7.8 A）\n•满足二次侧同步整流灵活布局的需要\n•终端无引线且符合 RoHS 标准\n•100% 经过 UIL 测试;

ONSEMI

安森美半导体

Wide-Bandwidth Oscilloscope Mainframe and Modules

文件：931.3 Kbytes 页数：32 Pages

HP

安捷伦

Wide-Bandwidth Oscilloscope Mainframe and Modules

文件：3.88371 Mbytes 页数：35 Pages

KEYSIGHT

是德科技

Wide-Bandwidth Oscilloscope Mainframe and Modules

文件：3.20317 Mbytes 页数：37 Pages

KEYSIGHT

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