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FDMC8296	文件：296.79 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET 30V, 18A, 8.0m廓文件：296.79 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMC8296	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，18A，8.0mΩ 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池包中常见的电源管理和负载开关应用。 •VGS = 10V，ID = 12A时，最大rDS(on) = 8.0 mΩ\n•VGS = 4.5V，ID = 10A时，最大rDS(on) = 13.0 mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•终端无引线且符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC8296_10	文件：372.55 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET 30V, 18A, 8.0m 文件：372.55 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RT8296A	文件：290.1 Kbytes Page：14 Pages	3A, 23V, 340kHz Synchronous Step-Down Converter 文件：290.1 Kbytes 页数：14 Pages	RichTek 立锜科技	RichTek
RT8296AHZSP	文件：566.07 Kbytes Page：11 Pages	Evaluation Board 文件：566.07 Kbytes 页数：11 Pages	RichTek 立锜科技	RichTek
RT8296B	文件：290.94 Kbytes Page：15 Pages	3A, 23V, 1.2MHz Synchronous Step-Down Converter General Description The RT8296B is a high-efficiency, monolithic synchronous step-down DC/DC converter that can deliver up to 3A output current from a 4.5V to 23V input supply. The RT8296Bs current mode architecture and external compensation allow the transient response to be optimized over a wid 文件：290.94 Kbytes 页数：15 Pages	RichTek 立锜科技	RichTek

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
18
PD Max (W)：
27
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
13
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
7.6
Ciss Typ (pF)：
1038
Package Type：
WDFN-8

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更多FDMC8296供应商更新时间2025-10-12 16:36:00

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