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FDMC8296中文资料N 沟道,Power Trench® MOSFET,30V,18A,8.0mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMC8296

功能描述

N 沟道,Power Trench® MOSFET,30V,18A,8.0mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-29 22:59:00

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FDMC8296规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池包中常见的电源管理和负载开关应用。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 12A时,最大rDS(on) = 8.0 mΩ
•VGS = 4.5V,ID = 10A时,最大rDS(on) = 13.0 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•终端无引线且符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC8296

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :18

  • PD Max (W)

    :27

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :13

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7.6

  • Ciss Typ (pF)

    :1038

  • Package Type

    :WDFN-8

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