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FDMC86320	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，Power Trench® MOSFET，80V，22A，11.7mΩ 此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 • Max rDS(on) = 11.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10.7 A\n• Max rDS(on) = 16 mΩ at VGS = 8 V, ID = 8.5 A\n• MSL1 robust package design\n• 100% UIL Tested\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC86320	文件：412.75 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power Trench MOSFET 80 V, 22 A, 11.7 m 文件：412.75 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS86320	文件：289.39 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：289.39 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMC89521L	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON DFN8	ON 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	ON
FDMD84100	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON Power-33x5-8	ON 上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDMC86320供应商更新时间2025-10-12 16:12:00