N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，44A，11.7mΩ

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 • Max rDS(on) = 11.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10.5 A\n• Max rDS(on) = 15 mΩ at VGS = 8 V, ID = 8.5 A\n• Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency\n• Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery\n• MSL1 robust package design\n• 100%;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel Power Trench MOSFET 80 V, 22 A, 11.7 m

文件：412.75 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

QFN8

ON

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SOT23-3

ON

上传：深圳市科达星科技有限公司