Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V

该器件包含两个专用MOSFET，采用独特的双功率56封装。 该器件设计用于提供一个最佳效率和PCB使用的同步降压功率级。 低传导损耗低端SyncFET是低开关损耗高端MOSFET的补充器件™。 • Q1 N沟道 \n• 最大值 RDS(on) = 8.5mΩ（VGS = 10V，ID = 12A）\n• 最大值 RDS(on) = 12.4mΩ（VGS = 4.5V，ID = 10A）Q2 N沟道\n• 最大值 RDS(on) = 5.5mΩ（VGS = 10V，ID = 16A）\n• 最大值 RDS(on) = 7.0mΩ（VGS = 4.5V，ID = 14A）\n• 低QD高端MOSFET \n• 低RDS(on)低端MOSFET;

ONSEMI

安森美半导体