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FDMS86320中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,44A,11.7mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS86320

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,44A,11.7mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 22:59:00

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FDMS86320规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性 Features

• Max rDS(on) = 11.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10.5 A
• Max rDS(on) = 15 mΩ at VGS = 8 V, ID = 8.5 A
• Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
• Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
• MSL1 robust package design
• 100% UIL Tested
• RoHS Compliant

应用 Application

• DC-DC商用电源
• Motor Bridge Switch
• Synchronous Rectifier

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86320

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :44

  • PD Max (W)

    :69

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :11.7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :24

  • Ciss Typ (pF)

    :1985

  • Package Type

    :PQFN-8

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