FDMS86320数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86320规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。
特性 Features
• Max rDS(on) = 11.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10.5 A
• Max rDS(on) = 15 mΩ at VGS = 8 V, ID = 8.5 A
• Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
• Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
• MSL1 robust package design
• 100% UIL Tested
• RoHS Compliant
应用 Application
• DC-DC商用电源
• Motor Bridge Switch
• Synchronous Rectifier
技术参数
- 制造商编号
:FDMS86320
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:80
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4.5
- ID Max (A)
:44
- PD Max (W)
:69
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:11.7
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:24
- Ciss Typ (pF)
:1985
- Package Type
:PQFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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