FDMS86200中文资料N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，35A，18mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86200规格书详情
描述 Description
这款 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 Power Trench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
特性 Features
•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•VGS = 10V，ID = 9.6A时，最大rDS(on) = 18mΩ
•VGS = 6V，ID = 8.8A时，最大rDS(on) = 21mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1 耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
FDMS86200属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDMS86200晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：FDMS86200
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：35
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：18
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：18
- Ciss Typ (pF)
：2041
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
Power56 |
33500 |
全新进口原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
POWER56 |
67048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
QFN |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
POWER56 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
POWER56 |
65428 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2024+ |
8-PQFN(5x6) |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
Power 56 |
13048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
Power 56 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
