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FDMS86200	文件：319.41 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 49 A, 18 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDMS86200DC	文件：1.16337 Mbytes Page：2 Pages	DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH짰 MOSFETs DualCool™packagingtechnology,providesbothbottom-andtop-sidecoolinginaPQFNpackage.NotonlyisthePQFNfootprintanindustrystandard,itprovidesthedesignerwithperformanceﬂexibility.Withenhanceddualpaththermalperformanceandimprovedparasiticsoveritswire-bondedpredece	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDMS86200E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：FET 150V 18.0 MOHM PQFN56	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MP86200	文件：169.57 Kbytes Page：2 Pages	MPMeterPak,mainlugs,sixringedsockets,nobypass,4jaws,OH,UG,800Abus,200A,240VACsinglephase3W	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气
NSYCRN86200	文件：102.07 Kbytes Page：2 Pages	SpacialCRNplaindoorw/omount.plate.H800xW600xD200IP66IK10RAL7035..	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气
NSYCRN86200P	文件：102.33 Kbytes Page：2 Pages	SpacialCRNplaindoorwithmount.plate.H800xW600xD200IP66IK10RAL7035..	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气
NSYCRN86200T	文件：110.81 Kbytes Page：2 Pages	SpacialCRNtsptdoorw/omount.plate.H800xW600xD200IP66IK08RAL7035..	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气

详细参数

型号：
FDMS86200
功能描述：
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDMS86200供应商更新时间2024-4-27 15:18:00

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