首页>FDMS86101DC>规格书详情
FDMS86101DC中文资料N 沟道，双 CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET，100V，60A，7.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86101DC规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，该工艺融入了栅极屏蔽技术。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。
特性 Features
•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•Dual Cool™顶侧冷却PQFN封装
•VGS = 10 V，ID = 14.5 A时，Max rDS(on) = 7.5 mΩ
•VGS = 6 V，ID = 11.5 A时，最大rDS(on) = 12mΩ
•通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86101DC
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：60
- PD Max (W)
：125
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：18
- Ciss Typ (pF)
：2354
- Package Type
：DFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN8 |
12800 |
只做现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
22048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
UDFN-8 |
11548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
UDFN-8 |
8790 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN-8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
DFN-5(5x6) |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ONSEMI |
23+ |
QFN |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
ON |
25+ |
QFN8 |
12000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN8 |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 |
