首页>FDMS86101DC>规格书详情
FDMS86101DC数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86101DC规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，该工艺融入了栅极屏蔽技术。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。
特性 Features
•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•Dual Cool™顶侧冷却PQFN封装
•VGS = 10 V，ID = 14.5 A时，Max rDS(on) = 7.5 mΩ
•VGS = 6 V，ID = 11.5 A时，最大rDS(on) = 12mΩ
•通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86101DC
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：60
- PD Max (W)
：125
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：18
- Ciss Typ (pF)
：2354
- Package Type
：DFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
22048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
VB |
25+ |
PQFN5x68L |
3010 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON |
22+ |
QFN |
6000 |
原装正品可支持验货,欢迎咨询 |
询价 | ||
ON |
两年内 |
NA |
3900 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
13+ |
QFN |
176 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ONSemi |
2126 |
UDFN8 |
42000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN-8 |
20000 |
询价 | |||
ON |
21+ |
QFN8 |
207 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
UDFN-8 |
8454 |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
询价 |
